Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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nome: | diodo di commutazione ad alta tensione | numero parte: | 1SS83 |
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VR: | 250V | Case: | DO-35 |
Temperatura di giunzione: | 175°C | Temperatura di stoccaggio: | – 65 a +175°C |
Evidenziare: | small signal fast switching diodes,small signal switching diode |
Planare epitassiale del silicio per il diodo di commutazione ad alta tensione 1SS83
Caratteristiche
• Alta tensione inversa (VR = 250V)
• Alta affidabilità con la guarnizione di vetro
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Dati meccanici
Caso: Caso di vetro DO-35
Peso: approssimativamente 0.13g
Valutazioni massime assolute
Parametro | Simbolo | Limite | Unità |
Tensione inversa | VR | 250 | V |
Inverso di punta Voltage*1 | VRM | 300 | V |
La media ha rettificato la corrente | Io | 200 | mA |
Corrente di andata di punta | IFM | 625 | mA |
Punta di corrente di andata di punta non ripetitiva | IFSM *2 | 1 | A |
Dissipazione di potere | Palladio | 400 | Mw |
Temperatura di giunzione | Tj | 175 | °C |
Temperatura di stoccaggio | ST | – 65 - +175 | °C |
Caratteristiche elettriche (TJ = 25°C salvo indicazione contraria)
Parametro | Simbolo | Condizione di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Tensione di andata | VF | SE = 100mA | — | — | 1,0 | V |
Corrente inversa | IR1 | VR = 200V | — | — | 200 | Na |
IR2 | VR = 300V | — | — | 100 | μA | |
Capacità | C | VR = 0V, f =1.0 megahertz | — | 1,5 | — | PF |
Tempo di recupero inverso | trr |
SE = IR = 30mA, IRR = 3 mA, RL = 100Ω |
— | — | 100 | NS |
Disegno:
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Persona di contatto: Bixia Wu